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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
65
En -195% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
22
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1370
3192
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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