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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
比较
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
总分
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
65
左右 -195% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
22
读取速度,GB/s
6.8
16.9
写入速度,GB/s
5.4
13.6
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1370
3192
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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