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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
比较
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
总分
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
差异
规格
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差异
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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
65
左右 -195% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
22
读取速度,GB/s
6.8
16.9
写入速度,GB/s
5.4
13.6
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1370
3192
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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