RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
5.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1370
3192
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link