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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Compara
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
65
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
14900
En 1.72 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
51
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
25600
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1370
2687
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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