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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparez
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
65
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
14900
Autour de 1.72 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
51
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.4
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
25600
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1370
2687
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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