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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Confronto
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
65
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
14900
Intorno 1.72 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
51
Velocità di lettura, GB/s
6.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
25600
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1370
2687
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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