RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
4022
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link