RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
19.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
4022
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link