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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2690
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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