RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2690
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link