RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno -54% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
28
Velocità di lettura, GB/s
14.9
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2690
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link