RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno -54% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
28
Velocità di lettura, GB/s
14.9
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2690
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link