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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
47
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
47
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2362
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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