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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
47
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
47
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2362
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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