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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
47
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
47
读取速度,GB/s
14.9
11.2
写入速度,GB/s
9.6
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2362
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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