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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Puntuación global
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 9.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 7.2
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 43
    En -19% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 9.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 7.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2506 left arrow 2220

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
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Memoria RAM
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Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
Memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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