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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
43
左右 -19% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
36
读取速度,GB/s
14.9
9.8
写入速度,GB/s
9.6
7.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2220
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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