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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
43
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2346
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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