RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
43
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2346
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link