RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
43
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2346
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link