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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
59
En -181% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
21
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2691
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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