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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
59
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
21
读取速度,GB/s
4,833.8
16.7
写入速度,GB/s
2,123.3
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2691
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
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