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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
比較する
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,123.3
10.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
59
周辺 -181% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
21
読み出し速度、GB/s
4,833.8
16.7
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
10.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
731
2691
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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