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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
59
En -64% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3044
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
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