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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
59
Intorno -64% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
36
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3044
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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