RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
59
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3044
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link