RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
59
En -111% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3316
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link