RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3316
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link