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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
59
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3413
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
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Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
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