RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
59
Autour de -97% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3413
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link