RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3413
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link