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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
59
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3137
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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