RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3137
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link