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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
59
En -103% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2609
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
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Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
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