RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
59
En -69% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3141
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link