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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
59
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
35
读取速度,GB/s
4,833.8
18.0
写入速度,GB/s
2,123.3
11.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3141
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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