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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
69
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3044
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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