RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
69
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3044
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link