Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

总分
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

总分
star star star star star
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 16.3
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    36 left arrow 69
    左右 -92% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.9 left arrow 1,857.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    69 left arrow 36
  • 读取速度,GB/s
    4,217.2 left arrow 16.3
  • 写入速度,GB/s
    1,857.7 left arrow 13.9
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    668 left arrow 3044
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较