RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
69
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3364
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link