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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
76
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
76
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
1587
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
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