RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
76
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
76
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
1587
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link