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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
76
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
76
读取速度,GB/s
4,241.0
13.5
写入速度,GB/s
1,950.7
7.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
1587
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
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