RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
58
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3073
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMY16GX3M2C1866C10 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link