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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
58
Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
26
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3073
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-018.A00G 8GB
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
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