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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
58
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2690
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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