RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2690
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Jinyu 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link