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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
58
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2462
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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