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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
58
左右 -45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
40
读取速度,GB/s
4,241.0
17.5
写入速度,GB/s
1,950.7
9.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2462
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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