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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
71
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
71
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1866
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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