RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
71
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
71
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1866
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link